Технические характеристики
| Поставщик | Global Power Technology |
| Тип устройства | SiC Diodes |
| Максимальный средний прямой ток, А | 2 |
| Корпус | TO-252 |
| Конфигурация | Single Chip |
| Прямое падение напряжения, В | 1.7 |
| Максимальное рабочее напряжение (В) | 650 |
Файлы / Документы
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.