Технические характеристики
| Поставщик | Jiangsu Danxiang Thyristor Technology |
| Тип устройства | Diode With High Junction Temperature |
| Максимальный ток в открытом состоянии, A | 1500 |
| Корпус | D8C |
| Импульсный ток, А | 1000 |
| Импульсное напряжение, В | 1.15 |
| Тепловое сопротивление переход-корпус, R(j-c), C/W | 0.022 |
| Максимальное рабочее напряжение (В) | 4600 |
| Верхняя рабочая температура (°С) | 170 |
Файлы / Документы
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.