Технические характеристики
| Поставщик | Jiangsu Danxiang Thyristor Technology |
| Тип устройства | Diode With High Junction Temperature |
| Максимальный ток в открытом состоянии, A | 3900 |
| Корпус | D13C |
| Импульсный ток, А | 2000 |
| Импульсное напряжение, В | 1.05 |
| Тепловое сопротивление переход-корпус, R(j-c), C/W | 0.01 |
| Максимальное рабочее напряжение (В) | 3200 |
| Верхняя рабочая температура (°С) | 175 |
Файлы / Документы
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.