Технические характеристики
| Поставщик | Jiangsu Danxiang Thyristor Technology |
| Тип устройства | Thyristor Diode module |
| Максимальный ток в открытом состоянии, A | 800 |
| Корпус | Mo4-76 |
| Импульсный ток, А | 2400 |
| Импульсное напряжение, В | 2,15/1,95 |
| Отпирающий постоянный ток управления, Igt, mA | 30-100 |
| Отпирающее постоянное напряжение управления, Vgt, V | 0,8-2,2 |
| Удерживающий ток, Ih, mA | 20-120 |
| Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения, dv/dt, V/µs | 1000 |
| Напр. пробоя изоляции, Viso, V | 2500-4000 |
| Максимальное рабочее напряжение (В) | 3500 |
Файлы / Документы
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.