Технические характеристики
| Поставщик | Unisonic Technologies (UTC) |
| Тип устройства | N |
| Статус | Under Development |
| Корпус | DFN5060-8 |
| Технология кристалла | Trench |
| Мин. Пороговое напряжение затвора, Vge, В | 1.32 |
| Макс. Пороговое напряжение затвора, Vge, В | 2.20 |
| Напряжение сток-исток, макс., В | 30 |
| Напряжение затвор-исток, макс., В | 20 |
| Ток стока, макс., А | 44 |
| Сопротивление в открытом состоянии, 10 В, тип., мОм | 6 |
| Сопротивление в открытом состоянии, 10 В, макс., мОм | 7 |
| Сопротивление в открытом состоянии, 4.5 В, тип., мОм | 9.0 |
| Сопротивление в открытом состоянии, 4.5 В, макс., мОм | 11.2 |
| Время нарастания фронта, нс | 31.6 |
| Время спада фронта, нс | 4.0 |
| Прямое падение напряжения на диоде в цепи исток-сток, макс. [В] | 1.10 |
| Ток через исток в цепи диода, постоянный макс. [А] | 30.00 |
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.