Технические характеристики
| Поставщик | Unisonic Technologies (UTC) |
| Тип устройства | P |
| Статус | Active |
| Корпус | DFN3020-8 |
| Технология кристалла | Trench |
| Мин. Пороговое напряжение затвора, Vge, В | -0.80 |
| Макс. Пороговое напряжение затвора, Vge, В | -1.80 |
| Напряжение сток-исток, макс., В | -30 |
| Напряжение затвор-исток, макс., В | 20 |
| Ток стока, макс., А | -8 |
| Сопротивление в открытом состоянии, 10 В, тип., мОм | 21 |
| Сопротивление в открытом состоянии, 10 В, макс., мОм | 26 |
| Сопротивление в открытом состоянии, 4.5 В, тип., мОм | 27.0 |
| Сопротивление в открытом состоянии, 4.5 В, макс., мОм | 34.0 |
| Время нарастания фронта, нс | 18.8 |
| Время спада фронта, нс | 12.3 |
| Прямое падение напряжения на диоде в цепи исток-сток, макс. [В] | -1.00 |
| Ток через исток в цепи диода, постоянный макс. [А] | -1.00 |
Файлы / Документы
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.