Технические характеристики
| Поставщик | KEC Corporation |
| Тип устройства | IGBT |
| Максимальный средний прямой ток, А | 20 |
| Корпус | TO-3PN(1) |
| Напряжение Коллектор - Эмиттер, В | 1350 |
| Напряжение База - Эмиттер, В | ±20 |
| Пост. Ток коллектора, Ic, A (T=25°C) | 40 |
| Пост. Ток коллектора, Ic, A (T=100°C) | 20 |
| Импульсный ток, А | 60 |
| Рассеиваемая мощность, Pd, Вт | 232 |
| Мин. Пороговое напряжение затвора, Vge, В | 5.4 |
| Макс. Пороговое напряжение затвора, Vge, В | 7.3 |
| Напряжение насыщения эмиттер-коллектор, Vce, В | 1.75 |
| Верхняя рабочая температура (°С) | 150 |
Файлы / Документы
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.